O novo armazenamento interno UFS 4.0 da Micron é revelado, e claro, quer ser superior aos dos concorrentes do mercado.
A Samsung já anunciou a sua memória interna UFS 4.0 que inclusive está disponível nos aparelhos da série Galaxy S23.
Agora é a vez da Micron anunciar sua memória, que claro, como esperado, é mais rápida que as outras que estão no mercado no momento.
Armazenamento interno UFS 4.0 da Micron é anunciado e promete mais desempenho
A Micron revelou que seu novo armazenamento interno UFS 4.0 chegará em versões de 256GB, 512GB e 1TB, então as fabricantes poderão lançar aparelho com essas quantidades de memória interna.
O grande destaque é que a Micron está utilizando a tecnologia 3D NAND de 232 camadas, algo inédito para dispositivos móveis.
Empresa fala que seu armazenamento interno UFS 4.0 é um dos mais rápidos do mercado, conseguindo superar os seus concorrentes, e sendo uma excelente opção para celulares e tablets top de linha, que precisam de alto desempenho em todas as tarefas.
Armazenamento interno UFS 4.0 da Micron está chegando com uma leitura sequencial de até 4.300 MB/s e gravação sequencial de até 4.000 MB/s, para comparação, a UFS 4.0 da Samsung consegue alcançar velocidades de até 4.200MB/s e até 2.800MB/s respectivamente.
Isso significa que a Micron conseguiu melhorar a sua UFS 4.0, se destacando principalmente na gravação sequencial, que conta com mais velocidade, que a memória da Samsung.
Em comparação com a UFS 3.1 NAND de 176 camadas, a Micron fala que seu armazenamento interno UFS 4.0 é 25% mais eficiente energeticamente e traz o dobro de rapidez, conseguindo baixar duas horas de conteúdo de streaming em 4K em menos de 15 segundos.
Por fim, em comparação aos concorrentes, a empresa fala em 10% em melhorias na latência de gravação, o que permite que os aplicativos sejam super responsivos.
Micron revela que seu novo armazenamento interno UFS 4.0 começará a ser produzido no segundo semestre de 2023, e as fabricantes já estão testando a novidade.
Fonte: Micron